中國功率半導體領域領路人陳星弼在蓉逝世

中新社成都12月4日電 (記者 賀劭清) 記者4日晚從電子科技大學獲悉，九三學社社員、中國科學院院士、電子科技大學教授陳星弼因病醫治無效，于當日17時10分在四川成都逝世，享年89歲。

陳星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就讀于同濟大學電機系，先后在廈門大學、東南大學和成都電訊工程學院(現電子科技大學)工作。1999年當選為中國科學院院士，2019年當選為國際電氣與電子工程師協會終身會士(IEEELife Fellow)。

陳星弼是中國功率半導體領域的領路人和集大成者。他發表超過200篇學術論文，獲得中美等國專利授權40余項。他是國際上首個提出超結耐壓層理論的科學家，他的超結發明專利打破傳統“硅極限”，被國際學術界譽為“高壓功率器件新的里程碑”。該發明專利成功轉讓并實現產業化，目前超結器件全球年市場銷售額超過10億美元。

陳星弼曾獲得諸多榮譽，包括中國國家發明獎及科技進步獎2項，省部級獎勵13項。陳星弼2015年獲得IEEE ISPSD頒發的最高榮譽“國際功率半導體先驅獎”，成為亞太地區首位獲此殊榮的科學家。陳星弼2018年入選IEEE ISPSD首屆名人堂，成為首位入選名人堂的華人科學家。(完)