寫入速度比U盤快1萬倍 中國科學家開創第三類存儲技術

4月11日，復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊成員劉春森在實驗室內對硅片進行切割。 新華社記者丁汀 攝 圖片來源：新華網

為了研發出兩種性能可兼得的新型電荷存儲技術，該團隊創新性地選擇了多重二維半導體材料，堆疊構成了半浮柵結構晶體管：二氧化鉬和二硒化鎢像是一道隨手可關的門，電子易進難出，用于控制電荷輸送；氮化硼作為絕緣層，像是一面密不透風的墻，使得電子難以進出；而二硫化鉿作為存儲層，用以保存數據。周鵬說，只要調節“門”和“墻”的比例，就可以實現對“寫入速度”和“非易失性”的調控。

此次研發的第三代電荷存儲技術，寫入速度比目前U盤快1萬倍，數據刷新時間是內存技術的156倍，并且擁有卓越的調控性，可以實現按需“裁剪”數據10秒至10年的保存周期。這種全新特性不僅可以極大降低高速內存的存儲功耗，同時還可以實現數據有效期截止后自然消失，在特殊應用場景解決了保密性和傳輸的矛盾。